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PRODUCT CENTER

BeNano 180 Zeta Max 納米粒度及Zeta電位分析儀

發布時間:2025-12-15 14:52:20瀏覽次數:

產品介紹
BeNano 180 Zeta Max 納米粒度及Zeta電位儀是丹東百特儀器有限公司2024年最新推出的表征納米體系特性的頂級光學檢測系統。該系統中集成了動態光散射DLS、電泳光散射ELS、靜態光散射SLS以及透射光檢測技術,可以準確地檢測顆粒的粒徑及粒徑分布、Zeta電位、高分子和蛋白體系的分子量、液體的折射率以及顆粒物濃度等參數,可廣泛應用于化學、化工、生物、制藥、食品、材料等領域的基礎研究、質量分析和質量控制。
基本性能指標

  1. 粒徑檢測(動態光散射法)

粒徑范圍

0.3 nm - 15 μm*

樣品量

最小3μL,常規1ml(可訂制其它容量)*

檢測角度

173°+90°+11.2°(可對應高濃度粒度和低濃度粒度)

樣品濃度

≤40%(W/V)*

粒徑算法

Cumulants、通用模式、CONTIN、NNLS

  1. Zate電位測試

Zeta范圍

無實際限制

原理

相位分析光散射PALS

電泳遷移率范圍

> ±20 μ.cm/V.s

電導率范圍

0 - ≥270 mS/cm *

Zeta測試粒徑范圍

1 nm – >120 μm *

  1. 沉降法粒度測試

粒徑范圍

1 μm - 50 μm *

檢測角度

0°(PD檢測器)

樣品量

1 – 3 ml

  1. 分子量測試

分子量范圍

342 Da – 2 x 107 Da *

  1. 微流變測試

測試能力

均方位移、復數模量、彈性模量、粘性模量、蠕變柔量、復數粘度

  1. 趨勢測試

溫度趨勢

粒度與Zeta電位隨溫度變化趨勢,自動檢測溫度轉變點Tm

時間趨勢

粒度與Zeta電位隨時間的變化趨勢

pH值趨勢

粒度與Zeta電位隨pH值的變化趨勢 *

  1. 濃度檢測

檢測方法

LEDLS

測試能力

體積分數和數量濃度

  1. 折射率測試

折射率范圍與精度

1.2 - 1.6,液體,精度優于0.1%

檢測方法

楔形池樣品折射法(無需示蹤粒子)

檢測角度

0°(CMOS檢測器)

樣品量

380 μL – 1 ml

  1. 系統參數

溫控范圍

-15°C - 120°C

冷凝控制

干燥空氣或者氮氣

激光器

高性能固體激光器,波長671nm(不同波長激光器可選)

相關器

快、中、慢多模式,最快25 ns采樣,最多 4000通道,1011動態線性范圍

檢測器

APD+PD+CMOS

光強控制

0.0001% -100%,自動或手動控制

* 依賴于樣品和選件

檢測參數
動態光散射
●流體力學尺寸 Dh
●分布系數 PD.I
●擴散系數 D
●顆粒間相互作用力因子 kd
●顆粒體系的光強、體積、面積和數量分布
●計算分子量
●溶液粘度和折射率
●流變學信息G*,G‘,G“,η*,J
電泳光散射
●Zeta電位及其分布
●帶電顆粒的電泳遷移率
透射
●透射濁度
●顆粒物濃度
●液體折射率
●沉降法粒度和粒度分布測試
趨勢測試
● Zeta電位和粒徑的pH滴定
●粒徑和Zeta電位的溫度趨勢測試
靜態光散射
●絕對分子量Mn、Mw、Mz
●分子量分布
●第二維利系數A2
選配件
●動靜態流動模式

BeNano動靜態流動模式(Flow Mode)是將納米粒度及Zeta電位儀同一個分離前端(FFF、GPC/SEC)相連接。分離前端可以根據尺寸將樣品進行分離,依次流出。通過檢測每個流出組分的動態光散射信號和靜態光散射號,并結合分離前端的示差折光RI或者紫外UV信號,得到高分辨率且不依賴于計算模型的粒徑分布、分子量分布信息。


●BAT-1自動滴定儀 樣品的Zeta電位和粒徑對于分散液介質環境具有強烈的依賴性,尤其是環境pH,不但影響Zeta電位的大小,而且會影響顆粒體系的帶電符號。BAT-1自動滴定儀與BeNano系列連用,內置三個高精度滴定泵和一個樣品輸送泵,具有樣品攪拌能力,可以對于樣品的粒徑和Zeta電位進行自動化的酸堿滴定測試,具有測試效率高、精確定量、重復性好、結果不依賴于操作者等特點。由于盛放樣品的樣品管可拋棄,避免了交叉污染的風險。

●BeScan穩定性分析儀 BeScan穩定分析儀是基于多重光散射原理的樣品穩定性分析設備,通過檢測得到樣品隨空間分布、時間、溫度的不穩定性變化,并給出不穩定性指數IUS,粒子遷移速度及樣品粒徑隨時間的變化曲線等信息。 BeScan靈敏的光學系統可以給出超過肉眼200倍以上的靈敏度,能更好的洞悉樣品的微觀結構變化,從而極大的節約檢測時間,縮短配方研制周期。BeScan與BeNano聯合使用,通過定量的IUS和Zeta電位信息研究樣品的變化及其原因。


相關技術

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